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张笑

职  称: 教授
学  位: 博士
毕业学校: 斯坦福大学
联系电话:
电子邮件: yngweiz@163.com

主要经历: 

2016年入选“广东特支计划”科技创新青年拔尖人才

2014年加入中山大学任“百人计划”特聘教授
2006年~2013年 美国斯坦福大学电子工程系 硕士及博士
2002年~2006年 北京大学 微电子系 获学士学位

主要工作包括:预测了强关联拓扑绝缘体材料(Science 335 (2012));理论论证了量子反常霍尔效应在互连线上应用的可能性;提出了拓扑绝缘体在太赫兹光电方面的应用;申请了第一个拓扑绝缘体应用全球专利(US20120138887);并提出了纳米MOS器件功函数差异性的第一个完整模型,研究了其对SRAM电路的影响(IEDM 2009)。

教学情况:
2014年承担中山大学理工学院“半导体物理”,“理论物理”和“高级算法语言与程序设计”教学。

学科方向: 

目前的研究方向包括理论物理(拓扑理论在物理中的应用),计算物理(寻找拓扑新材料和人工结构),微电子器件(使用新拓扑材料的奇特器件),机器学习与人工智能(机器作曲,语音识别和量化策略)。

邮件:yngweiz@163.com
 

代表论著: 

1.Zihao Gao, Meng Hua,  Haijun Zhang, Xiao Zhang, Classification of stable Dirac and Weyl semimetals with reflection and rotational symmetry, Phys. Rev. B 93, 205109 (2016).

2.Ching Hua Lee, Xiao Zhang, Bochen Guan, Negative differential resistance and characteristic nonlinear electromagnetic response of a Topological Insulator, Scientific Reports 5,18008 (2015). 

3. Xiao Zhang, Haijun Zhang, Jing Wang, Claudia Felser, Shou-Cheng Zhang, “Actinide Topological Insulator Materials with Strong Interaction”, Science 335, 1464 (2012).
4. Xiao Zhang, Shou-Cheng Zhang, “Chiral interconnects based on topological insulators” (invited paper), Proc. SPIE 8373, 837309 (2012).
5. Xiao Zhang, Jerome Mitard, Lars-Ake Ragnarsson, Thomas Hoffmann, Michael Deal, Melody Grubbs, Blanka Magyari-Kope, Bruce Clemens, Yoshio Nishi, “Theory and Experiments of the Impact of Work Function Variability on Threshold Voltage Variability in MOS Devices”, IEEE Trans. Electron Devices 59, 3124 (2012).
6. Xiao Zhang, Jing Wang, Shou-Cheng Zhang, “Topological insulators for high-performance terahertz to infrared applications”, Phys. Rev. B 82, 245107 (2010).
7. Melody Grubbs, Xiao Zhang, Michael Deal, Yoshio Nishi, Bruce Clemens, “Development and characterization of high temperature stable Ta–W–Si–C amorphous metal gates”, Appl. Phys. Lett. 97, 223505 (2010).
8. Xiao Zhang, Jing Li, Melody Grubbs, M. Deal, B. Magyari-Kope, B.M. Clemens, Yoshio Nishi, “Physical Model of the Impact of Metal Grain Work Function Variability on Emerging Dual Metal Gate MOSFETs and its implication for SRAM Reliability”, IEDM 2009, December, 2009, Baltimore.
9. Xiao Zhang, Min Yu, Charlotte T. M. Kwok, Ramakrishnan Vaidyanathan, Richard D. Braatz, Edmund G. Seebauer, “Precursor mechanism for interaction of bulk interstitial atoms with Si(100)”, Phys. Rev. B 74, 235301 (2006).